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건식 에칭 (식각) 설비
by | semes
SiC (탄화규소) 소재는 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비하여 열전도율과 경도가 높고, 내플라즈마성, 내산화성 , 내마모성, 내부식성, 고온안정성 및 열충격 저항성이 우수한 소재
반도체공정의 고집적도, 선폭 미세화, 수직화에 따른 고출력 플라즈마가 필요하나 기존 Si 소재의 수명문제 로 CVD-SiC 소재로 변경되고 있음 (침투율 20% 수준)
우수한 표면 균일도 및 내화학성으로 Powder와 부식 형성을 방지하여 PM주기 연장
우수한 내부식성 및 내화학성으로 소재의 마모가 적어 PM 주기의 연장
PM주기 연장 및 사고 방지로 장비 정지 시간이 단축되어 생산성 향상에 기여
코팅두께 공차 정확성 확보 (선행기술 검토)
국내 대기업의 라인에서 운영중인 설비에서 직접 Test 한 결과로 해외 제품과 비교하여 유의차 없음
자사 CVD SiC 막질의 성분 분석
- LED 제조에 핵심 설비인 MOCVD 설비의 Susceptor로서 Graphite에 SiC CVD Coating을 하여 유도가열에 적합 하도록 적용 된 제품
- 고온 공정에 적합하며, 내부식성이 강하고 CVD 막질로 불순물 함유가 적음.
위 데이터는 자사에서 CVD 코팅한 막질을 분석한 자료임.
Susceptor
Si 소재는 내 플라즈마특성이 약해 Life Time이 짧고, 향후 고출력의 RF(Radio Frequency) Power를 사용해야하는 환경에서 사용이 제한됨
내플라즈마 특성 약함 (수명 저하)
잦은 공정 중단
450mm 이상 Wafer 적용 어려움
소모품 수명 연장에 따른 수율향상 및 비용절감.
기존 Si Ring 보다 식각 정도 비교 시
내플라즈마 특성이 10배 이상 우수
→ 수명 1.5배 향상
6N ( 99.9999% ) 이상 고순도
반도체 공정 시 불순물이 발생하지 않음.
기존 Si-ring 과 Sic 식각 비교
다양한 진공설비 설계 및 제작
"진공용해로, 사파이어 잉곳 설비 등 다양한 납품 실적"
진공챔버 전문 제작 기술 보유
고온 진공 설비 및 시스템 설계
